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带有栅极沟槽结构的碳化硅MOSFET

基本信息

申请号 CN202021831014.5 申请日 -
公开（公告）号 CN213366599U 公开（公告）日 2021-06-04
申请公布号 CN213366599U 申请公布日 2021-06-04
分类号 H01L29/06;H01L29/423;H01L29/78 分类 基本电气元件;
发明人 张梓豪;黄兴;陈欣璐 申请（专利权）人 派恩杰半导体（杭州）有限公司
代理机构 杭州天昊专利代理事务所（特殊普通合伙） 代理人 董世博
地址 310000 浙江省杭州市滨江区浦沿街道六和路368号一幢(北)三楼D3204室
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型公开了一种带有栅极沟槽结构的碳化硅MOSFET，包括：碳化硅衬底；碳化硅衬底上生长的碳化硅外延层；所述碳化硅衬底背面覆盖的漏极金属电极；所述碳化硅外延层上刻蚀的沟槽，在所述沟槽表面生长有的氧化层，氧化层上设有的栅极金属电极；在碳化硅外延层上设有的源极注入区；所述源极注入区上覆盖有的源极金属电极；在碳化硅外延层上还设有的多个注入区，其中包括阻断注入区，保护注入区和改善注入区，所述阻断注入区的掺杂类型为第二导电类型，所述改善注入区的掺杂类型为第一导电类型，所述保护注入区为重掺杂的第二导电类型，所述阻断注入区与源极注入区相邻且设置在栅极和漏极之间，所述保护注入区设置在栅极金属电极下方。