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集成ESD的SiC功率MOSFET器件及制备方法

基本信息

申请号	CN202110321862.4	申请日	-
公开（公告）号	CN112951922A	公开（公告）日	2021-06-11
申请公布号	CN112951922A	申请公布日	2021-06-11
分类号	H01L29/78;H01L27/02;H01L21/336	分类	基本电气元件;
发明人	陈欣璐;黄兴;张梓豪;隋金池;龚牧峰	申请（专利权）人	派恩杰半导体（杭州）有限公司
代理机构	杭州五洲普华专利代理事务所（特殊普通合伙）	代理人	姚宇吉
地址	311215 浙江省杭州市萧山区宁围街道悦盛国际中心603室
法律状态	-

摘要

本发明提供了一种集成ESD的SiC功率MOSFET器件及其制备方法，由于用于ESD的PN结二极管是集成在MOSFET器件本身需要的栅极压焊区下方，不需要额外的芯片面积，不会影响芯片的集成度。且栅极压焊区的面积较大，使得PN结二极管的面积也可以较大，PN结二极管环绕在栅极压焊区的下方，可以利用栅极压焊区的面积，增大PN结二极管的面积提高ESD泄放能力；由于通过调节PN结边缘的形貌和掺杂浓度就可以调节PN结二极管的击穿电压，因此通过在第一掺杂离子重注入区和第二掺杂离子注入区的边缘设置多个尖峰角，就可以调节PN结二极管的击穿电压；且所述PN结二极管的形成是和形成MOSFET器件的工艺步骤同步进行，不额外增加光刻掩膜步骤，不会增加芯片制作成本。