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一种硅基薄膜生产装置

基本信息

申请号	CN201220022528.5	申请日	-
公开（公告）号	CN202465874U	公开（公告）日	2012-10-03
申请公布号	CN202465874U	申请公布日	2012-10-03
分类号	C23C16/54(2006.01)I;C23C16/24(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I	分类	对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕;
发明人	解欣业;王伟;史国华;刘先平;邓晶	申请（专利权）人	威海中玻光电有限公司
代理机构	威海科星专利事务所	代理人	于涛
地址	264200 山东省威海市环翠区环山路9号
法律状态	-

摘要

本实用新型公开了一种硅基薄膜生产装置，其特征在于由加热段、真空过渡段1、沉积段、真空过渡段2、冷却段组成，自动闸板阀装于各工作室之间，加热段和冷却段为非真空段，沉积段由数个沉积模块构成，每个沉积模块均由沉积室、真空过渡室、传动装置、位置测量装置、真空获得装置、配气装置和排气装置组成，两个沉积室对称或不对称地分布在真空过渡室的两侧，每一个沉积室分别与一台工艺干泵相连，沉积室和真空过渡室共用一套真空获得装置，沉积模块两端均设有尺寸和形状完全相同或相互配合的连接装置，通过连接装置将数个平行排列的沉积模块连接起来形成一个连续镀膜的沉积段，本装置可以根据镀膜工艺和产能设计的不同要求增减沉积模块的数量，其适用范围广，生产效率高，维护维修方便。