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一种硅基薄膜太阳能电池结构及加工工艺

基本信息

申请号	CN201310668089.4	申请日	-
公开（公告）号	CN104701397A	公开（公告）日	2015-06-10
申请公布号	CN104701397A	申请公布日	2015-06-10
分类号	H01L31/0463(2014.01)I;H01L31/0465(2014.01)I;H01L31/18(2006.01)I	分类	基本电气元件;
发明人	解欣业;王伟;吴军;史国华;李强;初宁宁;吕忠明;邓晶	申请（专利权）人	威海中玻光电有限公司
代理机构	威海科星专利事务所	代理人	于涛
地址	264200 山东省威海市环翠区环山路9号
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种硅基薄膜太阳能电池结构，其特征在于沿基板长度方向由分割线均匀分成至少两个外部并联的子电池，沿基板宽度方向由设置在透明导电前电极层设有刻划P1，沉积硅基薄膜层设有刻划P2，溅射背电极层设有刻划P3，刻划P1、P2、P3依次设置，本发明的关键在于根据PECVD设备沉积膜层的实际情况，按照最佳节宽度公式制作刻划P1、刻划P2和刻划P3，优化了最佳电池条宽度，长度方向分割电池，通过简单的方法将它们相并联，将大面积沉积硅基薄膜层厚度的不均匀性，以及短路点对电池性能的影响降到最低，使硅基薄膜电池在合适输出电压下，同时有最佳的输出电流，通过简单有效的方法充分发挥了大面硅基薄膜电池本身的潜能。