在晶圆级别集成的VCSEL器件
基本信息
| 申请号 | CN202120730638.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN215267071U | 公开（公告）日 | 2021-12-21 |
| 申请公布号 | CN215267071U | 申请公布日 | 2021-12-21 |
| 分类号 | H01S5/183（2006.01）I;H01S5/20（2006.01）I;H01S5/042（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 郭铭浩;王立;李念宜 | 申请（专利权）人 | 浙江睿熙科技有限公司 |
| 代理机构 | 上海领洋专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 罗晓飞 |
| 地址 | 311113浙江省杭州市良渚街道通运街358号2幢101室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 公开了一种在晶圆级别集成的VCSEL器件，其中，所述VCSEL器件包括：外延结构，其自下而上依次包括：衬底、N‑DBR层、有源区、限制层和P‑DBR层，其中，所述限制层形成用于限制发光孔径的限制孔；一体成型于所述外延结构上的半导体光学结构，其中，所述半导体光学结构，包括：光学调制部和包覆所述光学调制部的保护部，所述光学调制部对应于所述限制孔；以及，电连接于所述外延结构的正电极和负电极。所述VCSEL器件在晶圆级别上集成了VCSEL激光器和用于调制VCSEL激光器出射的激光的半导体光学结构。 |
