在晶圆级别集成的VCSEL器件
基本信息
| 申请号 | CN202120730565.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN215267070U | 公开（公告）日 | 2021-12-21 |
| 申请公布号 | CN215267070U | 申请公布日 | 2021-12-21 |
| 分类号 | H01S5/183;H01S5/20;H01S5/042 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 郭铭浩;王立;李念宜 | 申请（专利权）人 | 浙江睿熙科技有限公司 |
| 代理机构 | 上海领洋专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 罗晓飞 |
| 地址 | 311113 浙江省杭州市良渚街道通运街358号2幢101室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 公开了一种在晶圆级别集成的VCSEL器件，其中，所述VCSEL器件包括：基底层、VCSEL激光单元和夹设于所述基底层和所述VCSEL激光单元之间的半导体光学结构。所述半导体光学结构包括：光学调制部和包覆所述光学调制部的保护部，其中，所述光学调制部用于对从所述VCSEL激光单元的N‑DBR层出射的激光进行调制。所述VCSEL器件在晶圆级别上集成了用于形成并出射激光的VCSEL激光单元和用于调制所述VCSEL激光单元出射的激光的半导体光学结构。 |
