一种石英陶瓷坩埚
基本信息
| 申请号 | CN201420426705.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN204138816U | 公开（公告）日 | 2015-02-04 |
| 申请公布号 | CN204138816U | 申请公布日 | 2015-02-04 |
| 分类号 | C30B28/06(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 陈士斌;段井超;李欢喜 | 申请（专利权）人 | 连云港太平洋半导体材料有限公司 |
| 代理机构 | 北京汇泽知识产权代理有限公司 | 代理人 | 孙艳敏 |
| 地址 | 222300 江苏省连云港市东海县经济开发区晶都大道1067号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开了一种石英陶瓷坩埚，包括一体成型的底部和侧壁，底部内表面固定铺设有硅颗粒层，所述硅颗粒层包含多个紧密或间隔排列的硅颗粒。本实用新型石英陶瓷坩埚的结构设计，使得坩埚为多晶硅晶体的生长提供了生长基，有利于多晶硅晶体的定向生长，减少晶界的形成和紊乱。初始晶体沿着原始方向生长并不断变粗变大，从而能够得到粗大定向性好的多晶硅晶体，优化了晶界的形成，提高了太阳能电池片的转化率，并降低了衰减速率。 |
