一种高过载近距测距射频电路
基本信息
| 申请号 | CN201920413047.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN210899137U | 公开（公告）日 | 2020-06-30 |
| 申请公布号 | CN210899137U | 申请公布日 | 2020-06-30 |
| 分类号 | H03L7/087;H03L7/093;H03L7/099;H03L7/18 | 分类 | - |
| 发明人 | 邹俊;于磊;杨周明;羊俊名 | 申请（专利权）人 | 成都天成电科科技有限公司 |
| 代理机构 | 四川雅图律师事务所 | 代理人 | 卢蕊 |
| 地址 | 610052 四川省成都市成华区华盛路58号25幢 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开了一种高过载近距测距射频电路，通过设采用硅材料作为晶振原料，再通过将硅晶振与锁相环、环路滤波器、射频输出模块分别串联，以形成整套射频信号输出电路。由于硅晶振最大可以承受50000g冲击，因此本申请实施例中的射频电路在高过载环境下能够表现出非常优秀的承载能力，具有提高整个射频电路的可靠性和降低故障率的技术效果。进一步地，所述射频电路为印制于直径为13‑16毫米的圆形PCB上，其功耗约为500mW，在具有高集成度的基础上，功耗也能实现较低的标准，因此本申请技术方案还具有提高近距测距射频电路小型化、轻便化的技术效果。 |
