基于场效应管双沟道组合的直流低压电源防反接电路

基本信息

申请号 CN202022564804.8 申请日 -
公开(公告)号 CN214045012U 公开(公告)日 2021-08-24
申请公布号 CN214045012U 申请公布日 2021-08-24
分类号 H02H7/12(2006.01)I;H02H11/00(2006.01)I 分类 发电、变电或配电;
发明人 陈泉江;宋靖男;刘伊博;王鹏;李保忠 申请(专利权)人 洛阳智能农业装备研究院有限公司
代理机构 洛阳启越专利代理事务所(普通合伙) 代理人 吴楠
地址 471000河南省洛阳市伊滨区科技大道21号中意科技园409室
法律状态 -

摘要

摘要 一种基于场效应管双沟道组合的直流低压电源防反接电路,包括电源E、电容C、P沟道MOS管、N沟道MOS管以及负载L,电源E的正极分别连接电容C的正极、P沟道MOS管的源极、负载L的正极,P沟道MOS管的漏极连接N沟道MOS管的栅极,N沟道MOS管的漏极连接负载L的负极,电源E的负极分别连接电容C的负极、P沟道MOS管的栅极、N沟道MOS管的源极,当电源E反接时,N沟道MOS管会关断,电路回路切断,从而实现了防反接保护功能;本实用新型电路简单、元器件数量较少、导通关断内阻较小、增加了可模块化的功能,有效的减少了二极管压降过大时,会造成电源功率的损失以及电压降低的情况,能够替用户减少较多的损失。