一种基于自动地周期性读操作的读取速度测量电路
基本信息
| 申请号 | CN201310148204.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN104123966B | 公开（公告）日 | 2017-03-29 |
| 申请公布号 | CN104123966B | 申请公布日 | 2017-03-29 |
| 分类号 | G11C29/08(2006.01)I | 分类 | 信息存储; |
| 发明人 | 朱小荣;张一平;周全;郑坚斌 | 申请（专利权）人 | 苏州兆芯半导体科技有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 215123 江苏省苏州市工业园区星湖街328号创意产业园11-103单元 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种基于自动地周期性读操作的读取速度测量电路，其包括至少两个SRAM，两个以上的SRAM为完全相同的同步上升沿触发SRAM，每个单独的SRAM包括读地址Address、输出数据DO端和时钟CK端，所述SRAM为需要测量的SRAM，所述读地址Address和输出数据DO相互连接，至少两个SRAM的DO端和时钟CK端之间设置有边沿产生上升沿电路，所述边沿产生上升沿电路输出的上升沿信号在经过一定的时间后跳变为低电平。其测量精度高；测量电路设计简单；测量程序开发简单；测量时间和工作量减少。 |
