一种基于SRAM的存内计算电路、装置及电子设备

基本信息

申请号 CN202111176583.X 申请日 -
公开(公告)号 CN113889158A 公开(公告)日 2022-01-04
申请公布号 CN113889158A 申请公布日 2022-01-04
分类号 G11C7/12(2006.01)I;G11C7/10(2006.01)I 分类 信息存储;
发明人 佘一奇;郑坚斌;吴守道 申请(专利权)人 苏州兆芯半导体科技有限公司
代理机构 北京汇思诚业知识产权代理有限公司 代理人 邵飞
地址 215000江苏省苏州市自由贸易试验区苏州片区苏州工业园区星湖街328号创意产业园6-1002单元
法律状态 -

摘要

摘要 本申请实施例提供的一种基于SRAM的存内计算电路、装置及电子设备,所述电路包括包含有锁存器的SRAM存储单元、第一传输单元、第二传输单元及逻辑运算单元;第一传输单元的第一控制端与SRAM存储单元内锁存器的第一输出端连接,第一传输单元的第二控制端与第一位线连接,第一传输单元的第一端与逻辑运算单元的第一输入端及第三位线连接;第一传输单元的第二端接地或接电源;第二传输单元的第一控制端与SRAM存储单元内锁存器的第二输出端连接,第二传输单元的第二控制端与第二位线连接,第二传输单元的第一端与逻辑运算单元的第二输入端及第四位线连接;第二传输单元的第二端接地或接电源。用以降低实现难度。