串联ROM单元及其读取方法
基本信息
| 申请号 | CN201310000514.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN103106925B | 公开（公告）日 | 2016-07-06 |
| 申请公布号 | CN103106925B | 申请公布日 | 2016-07-06 |
| 分类号 | G11C16/26(2006.01)I;G11C16/06(2006.01)I | 分类 | 信息存储; |
| 发明人 | 于跃;郑坚斌 | 申请（专利权）人 | 苏州兆芯半导体科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 王学强 |
| 地址 | 215021 江苏省苏州市工业园区创意产业园11-103单元 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明揭示了一种串联ROM单元及其读取方法，所述ROM单元至少包括通过背靠背方式相接的第一存储单元组和第二存储单元组，所述第一存储单元组和第二存储单元组的结构相同，所述第一存储单元组包括串联连接的第一MOS管和第二MOS管，所述第一MOS管的漏极和第二MOS管的漏极分别通过可编程的方式连接至第一位线和第二位线上，所述第一MOS管和第二MOS管的栅极分别连接至第一字线和第二字线上，在读取此串联ROM单元所对应的信息时，只需通过第一位线和第二位线就可以直接读取出该信息，这样就实现了4个MOS管共用一个源端VSS，减少了由于工艺规则带来的空间浪费，从而节约了面积。 |
