首页/ 苏州兆芯半导体科技有限公司/ 专利详情

SRAM时序测试电路及测试方法

基本信息

申请号 CN201310303166.6 申请日 -
公开（公告）号 CN103325422B 公开（公告）日 2016-03-23
申请公布号 CN103325422B 申请公布日 2016-03-23
分类号 G11C29/08(2006.01)I 分类 信息存储;
发明人 王林 申请（专利权）人 苏州兆芯半导体科技有限公司
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 代理人 王学强
地址 215021 江苏省苏州市工业园区创意产业园11-103单元
法律状态 -

摘要

摘要 本发明揭示了一种SRAM时序测试电路及测试方法，所述测试电路包括SRAM存储单元和测试电路单元，所述测试电路单元包括与所述SRAM存储单元连接的第一模式切换电路，与所述第一模式切换电路连接的边沿信号触发电路，与所述边沿信号触发电路相连的第二模式切换电路。第一模式切换电路具有第一使能端，第二模式切换电路具有第二使能端，根据第一使能端和第二使能端的信号控制不同，在测试电路中可分别形成第一环形振荡电路和第二环形振荡电路，通过测量两个环形振荡电路的输出振荡周期，从而精确得到SRAM存储单元读取数据的时间值。本发明可通过自动布线工具完成，具有测量误差小、精度高、测量简单的优点。