只读存储器阵列结构、芯片、电子设备及编码方法
基本信息
| 申请号 | CN202111514757.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114187948A | 公开（公告）日 | 2022-03-15 |
| 申请公布号 | CN114187948A | 申请公布日 | 2022-03-15 |
| 分类号 | G11C16/08（2006.01）I;G11C16/10（2006.01）I;G11C16/24（2006.01）I | 分类 | 信息存储; |
| 发明人 | 史秀景;吴守道 | 申请（专利权）人 | 苏州兆芯半导体科技有限公司 |
| 代理机构 | 广州三环专利商标代理有限公司 | 代理人 | 张月婷 |
| 地址 | 215123江苏省苏州市中国（江苏）自由贸易试验区苏州片区苏州工业园区星湖街328号创意产业园6-1002单元 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请提供了一种只读存储器阵列结构，包括m*n个呈矩阵排列的存储单元、m条字线及n条位线，其中，m以及n为大于或等于1的自然数。每一存储单元包括栅极、源极和漏极；所述m条字线与m行存储单元一一对应；所述n条位线与n列存储单元一一对应，且每条位线与对应列的存储单元的漏极连接；其中，每一存储单元的源极接地；根据每一存储单元存储的数据为“0”还是“1”，每一存储单元的栅极与对应的字线连接或者接地。本申请还提供一种芯片以及包括所述芯片的电子设备。本申请还提供一种编码方法。本申请可以可有效减小字线的负载，提高存储性能。 |
