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一种多晶硅铸锭时的长晶控制方法

基本信息

申请号	CN201310668942.2	申请日	-
公开（公告）号	CN103696001A	公开（公告）日	2014-04-02
申请公布号	CN103696001A	申请公布日	2014-04-02
分类号	C30B29/06(2006.01)I;C30B28/06(2006.01)I	分类	晶体生长〔3〕;
发明人	王土军;徐闻韬;徐增宏	申请（专利权）人	浙江硅宏电子科技有限公司
代理机构	杭州九洲专利事务所有限公司	代理人	陈继亮
地址	324300 浙江省衢州市开化县华埠镇华丰路28号硅宏
法律状态	-

摘要

本发明涉及一种多晶硅铸锭时的长晶控制方法，该方法包括下列步骤：A、将平铺在坩埚底部的硅块料部分溶化，余少部分作为长晶用，降温至硅溶点以下，开始长晶；B、长晶初期，长晶速度控制在0.4-0.8mm/h，时间持续3-4h；C、长晶过渡期，长晶速度控制在0.8-1.2mm/h，时间持续在4-6h；D、长晶稳定期，长晶速度控制在1.0-1.4mm/h，时间持续20-24h；E、长晶收尾期，长晶速度控制在0.8-1.0mm/h，时间持续6-8h。采用本发明，控制过程增加了长晶过渡期，长晶速度由慢至快，再由快至慢，使长晶处于相对均衡状态，能减少长晶中的位错，减少杂质沉积，有效地提高了光电转换效率。据实验数据表明，位错率较原有工艺减少了20%以上。