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铌酸锂薄膜超晶格的制备方法

基本信息

申请号	CN202011060218.8	申请日	-
公开（公告）号	CN112195520A	公开（公告）日	2021-01-08
申请公布号	CN112195520A	申请公布日	2021-01-08
分类号	C30B33/04;C30B29/30;G02F1/355	分类	晶体生长〔3〕;
发明人	尹志军;崔国新;叶志霖;许志城	申请（专利权）人	南京南智先进光电集成技术研究院有限公司
代理机构	北京弘权知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	南京南智先进光电集成技术研究院有限公司
地址	210000 江苏省南京市江北新区研创园团结路99号孵鹰大厦690室
法律状态	-

摘要

本申请提供一种铌酸锂薄膜超晶格的制备方法，包括：1)制备套刻标记；2)根据套刻标记，在x切的铌酸锂薄膜表面制备周期性叉指电极结构；3)在光刻好的叉指电极结构上镀金属电极；4)去除光刻胶，得到周期性叉指电极；5)在一侧叉指电极上接入电极正极，另一侧叉指电极接地，施加电场，使得叉指电极之间畴翻转，去除电极，得到第一周期性畴翻转结构；6)将套刻标记向右平移一个周期的距离，重复步骤2)～5)，得到第二周期性畴翻转结构；7)重复执行步骤6)，直至得到的所有畴翻转结构之间的间距相等，完成制备。采用前述的方案，采用多次套刻，多次电场极化，在x切的铌酸锂薄膜表面制备周期性的电极，制备出畴壁与z轴垂直的畴结构。