一种氮化镓复合基板、氮化镓器件及其制备方法
基本信息
| 申请号 | 2020111091601 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112259604A | 公开（公告）日 | 2021-01-22 |
| 申请公布号 | CN112259604A | 申请公布日 | 2021-01-22 |
| 分类号 | H01L29/778(2006.01)I; | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 尹志军;崔国新;冯会会;许志城 | 申请（专利权）人 | 南京南智先进光电集成技术研究院有限公司 |
| 代理机构 | 北京弘权知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 逯长明;许伟群 |
| 地址 | 210000江苏省南京市江北新区研创园团结路99号孵鹰大厦690室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请公开了一种氮化镓复合基板、氮化镓器件及其制备方法，本申请提供的氮化镓复合基板在GaN/AlGaN异质结界面中设置一层增效层，形成所述增效层具有较高的电子迁移率，进一步地，所述氮化镓与所述增效层之间的跃迁能、所述增效层与铝镓氮之间的跃迁能均小于氮化镓与铝镓氮之间的跃迁能，使得由氮化镓至铝镓氮逐级跃迁而生成的二维电子气能够在所述增效层中快速迁移，提高二维电子气迁移率，从而缩短氮化镓器件的响应时间。 |
