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一种铌酸锂薄膜波导的湿法刻蚀方法及铌酸锂薄膜波导

基本信息

申请号 202011106942X 申请日 -
公开（公告）号 CN112269225A 公开（公告）日 2021-01-26
申请公布号 CN112269225A 申请公布日 2021-01-26
分类号 G02B6/136(2006.01)I; 分类 光学;
发明人 尹志军;崔国新;叶志霖;许志城 申请（专利权）人 南京南智先进光电集成技术研究院有限公司
代理机构 北京弘权知识产权代理事务所（普通合伙） 代理人 逯长明;许伟群
地址 210000江苏省南京市江北新区研创园团结路99号孵鹰大厦690室
法律状态 -

摘要

摘要 本申请提供一种铌酸锂薄膜波导的湿法刻蚀方法及铌酸锂薄膜波导。所述方法包括：在铌酸锂薄膜样品中的铌酸锂层表面正畴区域上制备具有预设刻蚀形状的金属掩膜后，将具备金属掩膜的待极化铌酸锂薄膜样品接入极化电路，对金属掩膜覆盖区域的铌酸锂进行畴翻转，使得金属掩膜覆盖区域由正畴翻转为负畴，利用预设夹具固定住畴翻转后的铌酸锂薄膜样品，并去除表面的金属掩膜后，利用刻蚀溶液对畴翻转后样品的表面区域进行预设时长的刻蚀，得到铌酸锂薄膜波导。整个过程利用正负畴的腐蚀速度差异制备铌酸锂薄膜波导，可以较好地控制刻蚀侧壁的宽度和质量，制备的波导刻蚀侧壁较为光滑，波导损耗较低。