一种K波段窄面插入磁耦合波导微带过渡结构
基本信息
| 申请号 | CN202121444487.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN215119195U | 公开（公告）日 | 2021-12-10 |
| 申请公布号 | CN215119195U | 申请公布日 | 2021-12-10 |
| 分类号 | H01P5/107（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 许浩;吕清刚;李冬;汪渊;邱忠云;郑轶 | 申请（专利权）人 | 成都华芯天微科技有限公司 |
| 代理机构 | 成都华风专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 张巨箭 |
| 地址 | 610000四川省成都市中国（四川）自由贸易试验区成都高新区天府五街200号1号楼3层A、B区 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开了一种K波段窄面插入磁耦合波导微带过渡结构，属于微波领域，包括矩形波导（1）、插入矩形波导（1）中的介质基片（2）和设置在所述介质基片（2）上的微带探针结构（3），所述矩形波导（1）的侧面包括窄面（11）和宽面（12）；所述微带探针结构（3）包括沿所述窄面（11）插入并连接到所述宽面（12）的探针（31）；所述探针（31）的上方设有波导短路面（13），本实用新型将微带探针（31）插入波导窄边，然后将微带探针（31）接入到波导宽边腔体壁，通过磁耦合的方式实现了新型的波导微带过渡，该结构适用于高频率、小间距的相控阵雷达多通道TR组件。 |
