一种功率半导体芯片封装结构
基本信息
| 申请号 | CN202111503735.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114220796A | 公开（公告）日 | 2022-03-22 |
| 申请公布号 | CN114220796A | 申请公布日 | 2022-03-22 |
| 分类号 | H01L23/552（2006.01）I;H01L25/07（2006.01）I;H01L23/498（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 王亮;周扬;代安琪;韩荣刚;林仲康;唐新灵 | 申请（专利权）人 | 国网智能电网研究院有限公司 |
| 代理机构 | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 | 代理人 | 王娜 |
| 地址 | 102209北京市昌平区未来科技城滨河大道18号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种功率半导体芯片封装结构，包括：第一基板电极；位于部分所述第一基板电极上且与所述第一基板电极电连接的功率半导体芯片；环绕所述功率半导体芯片的线圈屏蔽结构，所述线圈屏蔽结构包括导电线圈以及包覆所述导电线圈的绝缘体。所述功率半导体芯片封装结构具有较高的耐压性。 |
