一种多芯结构的IGBT吸收电容器
基本信息
| 申请号 | CN202122793708.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN216562783U | 公开（公告）日 | 2022-05-17 |
| 申请公布号 | CN216562783U | 申请公布日 | 2022-05-17 |
| 分类号 | H01G4/224（2006.01）I;H01G4/228（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 黄灵春;伍骞 | 申请（专利权）人 | 四川中星电子有限责任公司 |
| 代理机构 | 成都睿道专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | - |
| 地址 | 611130四川省成都市温江区成都海峡两岸科技产业开发园科兴路西段606号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型提供了一种多芯结构的IGBT吸收电容器，包括芯子和端子引线，还包括壳体，所述芯子设置有至少两组依次并排设于所述壳体内；所述芯子之间通过端子引线进行并联连接，所述端子引线侧面设置有焊接板，所述端子引线的一端插入所述壳体，使得所述焊接板分别与所述芯子的两侧端面相焊接固定。本实用新型通过多芯设计，降低了杂散电感，提高了频率特性，整体电容性能提升，且保证了一个芯子损坏时，仍然能够保证电路板的正常运行。 |
