高密度SIP封装结构
基本信息
| 申请号 | CN201620280802.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN206003765U | 公开（公告）日 | 2017-03-08 |
| 申请公布号 | CN206003765U | 申请公布日 | 2017-03-08 |
| 分类号 | H01L23/495(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 喻明凡 | 申请（专利权）人 | 无锡矽瑞微电子股份有限公司 |
| 代理机构 | 江苏英特东华律师事务所 | 代理人 | 无锡矽瑞微电子股份有限公司 |
| 地址 | 214072 江苏省无锡市滨湖区建筑西路599号1幢11层（无锡国家工业设计园） | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型涉及一种高密度SIP封装结构，其中包括第一基岛、第二基岛和导热焊盘，所述的第一基岛和第二基岛相互平行，所述的导热焊盘设置于所述的第一基岛和第二基岛下方，所述的第一基岛上隔离排布有三颗MOS管和MCU芯片，所述的第二基岛上隔离排布有三颗MOS管，各个所述的MOS管与封装结构的外接头通过键合丝相连接。采用该种结构的高密度SIP封装结构，隔离排布多颗功率MOS管和主控芯片，充分利用封装体的纵向空间，大大提升集成电路的封装密度，提升封装结构的散热性能，可以有效应用于各种需要MCU主控芯片封装结构的场景，具有更广泛的应用范围。 |
