用于半导体材料的清洗方法
基本信息
| 申请号 | CN202111326661.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114038736A | 公开（公告）日 | 2022-06-21 |
| 申请公布号 | CN114038736A | 申请公布日 | 2022-06-21 |
| 分类号 | H01L21/02;C11D1/83;C11D1/14;C11D1/00;C11D3/04;C11D3/06;C11D3/10;C11D3/20;C11D3/39;C11D3/60;C11D7/26;C11D7/60 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 王燕清;杨佐东 | 申请（专利权）人 | 重庆臻宝科技股份有限公司 |
| 代理机构 | 北京中政联科专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 李阳 |
| 地址 | 400050 重庆市九龙坡区帽九路 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种用于半导体材料的清洗方法，具体步骤如下：先将半导体材料浸入碱性脱脂洗液清洗进行脱脂处理，清洗后去离子水冲洗；再进行去除金属离子处理，依次将半导体材料用酸性A洗液浸泡清洗，清洗后去离子水冲洗；接着用中性洗液浸泡清洗，清洗后去离子水冲洗；最后放入酸性B洗液中浸泡清洗，清洗后用去离子水冲洗干净即可。本发明提供的清洗方法，大大减少强酸的使用浓度，减小了环境污染和对人体的腐蚀性。洗液稳定性好，不会易分解挥发，提高了洗液使用寿命，对硅产品腐蚀性小，不会增加产品清洗后的Ra。 |
