一种稀土氟氧化物薄膜的形成方法
基本信息
| 申请号 | CN202210504745.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114717555A | 公开（公告）日 | 2022-07-08 |
| 申请公布号 | CN114717555A | 申请公布日 | 2022-07-08 |
| 分类号 | C23C26/00（2006.01）I;C01F17/259（2020.01）I;C01F17/10（2020.01）I | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 贺邦杰;余宜璠;陈立航;郑宣 | 申请（专利权）人 | 重庆臻宝科技股份有限公司 |
| 代理机构 | 重庆乐泰知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | - |
| 地址 | 401326重庆市九龙坡区西彭镇森迪大道66号附72号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种稀土氟氧化物薄膜的形成方法，属于半导体涂层制备技术领域，包括以下步骤：提供包含F离子或C离子或S离子的气体；将上述气体进行加热预处理，使其产生游离的F离子，在低压反应腔内与Y2O3涂层反应，所述低压反应腔的压力小于等于101kPa，所述加热预处理后的气体温度为200～1000℃。将预处理后的气体与Y2O3涂层反应生成氟氧化钇薄膜。采用本发明方法制备氧氟化钇薄膜，反应更为充分，得到的氧氟化钇薄膜的纯度较高，异相氟化钇等杂质的含量较少，可以加强耐等离子体的防腐能力。 |
