一种半导体刻蚀腔耐等离子体涂层制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202210267971.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114645275A | 公开（公告）日 | 2022-06-21 |
| 申请公布号 | CN114645275A | 申请公布日 | 2022-06-21 |
| 分类号 | C23C28/04（2006.01）I;C23C4/01（2016.01）I;C23C4/02（2006.01）I;C23C4/11（2016.01）I;C23C4/134（2016.01）I;C25D11/02（2006.01）I | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 吴昊;李宗泰;杨佐东 | 申请（专利权）人 | 重庆臻宝科技股份有限公司 |
| 代理机构 | 重庆乐泰知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | - |
| 地址 | 401326重庆市九龙坡区西彭镇森迪大道66号附72号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体刻蚀腔耐等离子体涂层制备方法，属于半导体真空零部件技术领域，包括以下步骤，首先对产品进行阳极氧化处理；对产品除内壁以外的所有部位进行遮蔽保护；对产品进行人工喷砂；通过采用均匀熔射喷涂设备对产品表面进行等离子熔射喷涂，形成均匀的Y2O3涂层；去除产品的遮蔽部位，人工修饰突出尖锐部位，然后在恒温室内对产品进行干燥；对涂层表面进行封孔；对涂层表面进行清洁，去除易发生Partice的涂层；干燥产品上的水分后无尘室进行包装。本发明方法通过在产品上均匀喷涂上一层均匀的抗等离子体的Y2O3涂层，可以均匀的吸附反应生成的聚合物，延长部件的使用时间，降低生产成本，减少Particle，使得晶圆品质得到了很好的改善。 |
