一种非自对准工艺形成的半导体器件及其方法
基本信息
| 申请号 | CN201110226861.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN102931140A | 公开（公告）日 | 2013-02-13 |
| 申请公布号 | CN102931140A | 申请公布日 | 2013-02-13 |
| 分类号 | H01L21/8234(2006.01)I;H01L27/088(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 钟汇才 | 申请（专利权）人 | 长沙艾尔丰华电子科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京市立方律师事务所 | 代理人 | 长沙艾尔丰华电子科技有限公司 |
| 地址 | 410003 湖南省长沙市长沙经济技术开发区管委会信息楼12楼（三一路2号） | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提出了一种非自对准沟道工艺形成半导体器件的方法，所述方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底内形成半导体层，所述半导体层由隔离区隔离开；进行重掺杂离子注入，以在半导体层内形成重掺杂区，然后进行高温退火激活掺杂离子；在所述半导体层上形成栅极区。其后进行CMOS器件工艺流程，沉积器件间绝缘层，形成器件接触塞等。本发明提出的上述方案，简化了芯片制造工艺，降低了成本，从而形成价格低且质量高的半导体器件。 |
