一种SOI晶圆的制造方法及其SOI晶圆
基本信息
| 申请号 | CN201110030394.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN102623303A | 公开（公告）日 | 2012-08-01 |
| 申请公布号 | CN102623303A | 申请公布日 | 2012-08-01 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/324(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 钟汇才;朱慧珑 | 申请（专利权）人 | 长沙艾尔丰华电子科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京市立方律师事务所 | 代理人 | 钟汇才;朱慧珑;长沙艾尔丰华电子科技有限公司 |
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提出了一种SOI晶圆的制造方法及其SOI晶圆，所述方法包括：提供衬底，所述衬底包括价格低并耐高温的材料；在所述衬底的上表面、下表面以及侧面上形成绝缘层，以使衬底被所述绝缘层包围；在所述衬底上表面的绝缘层上形成半导体层；进行退火晶化处理，以使顶层半导体层晶化为单晶的半导体层或具有大尺寸晶粒的、高质量的多晶半导体层。采用价格低且能耐高温的材料作为支撑衬底，并通过晶化工艺，在顶层形成单晶或大尺寸晶粒的顶层半导体层，从而形成价格低且质量高的SOI晶圆。 |
