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硅基集成化的差分电光调制器及其制备方法

基本信息

申请号 CN201510573807.9 申请日 -
公开（公告）号 CN105044931B 公开（公告）日 2018-10-09
申请公布号 CN105044931B 申请公布日 2018-10-09
分类号 G02F1/015 分类 光学;
发明人 丁建峰;张磊;杨林 申请（专利权）人 宏芯科技（泉州）有限公司
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 代理人 中国科学院半导体研究所
地址 100083 北京市海淀区清华东路甲35号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种硅基集成化的差分电光调制器及其制备方法，其光学基本结构为马赫‑曾德干涉仪结构，采用硅基微纳波导制作。电极结构采用电容耦合式的共面波导结构，形式是“地极‑信号极‑地极”(G‑S‑G)。马赫‑曾德干涉仪的两个相移臂(内部通过制作的PN结进行相位调制)分别位于地极与信号极的两个间隙之间。电容耦合式的共面波导电极结构不仅负责将高速交流信号耦合到相移臂中的PN结进行调制，而且其电容结构还可以防止输入电极的两个地极将直流偏置电路短路。该结构利用现有的成熟的CMOS工艺降低了器件制作的成本，提高了集成度，从而特别适合在需要高集成度、高性能、低功耗的光互连领域的应用。