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提高亚微米硅波导与普通单模光纤耦合效率的结构

基本信息

申请号 CN201610159366.2 申请日 -
公开（公告）号 CN105607185A 公开（公告）日 2016-05-25
申请公布号 CN105607185A 申请公布日 2016-05-25
分类号 G02B6/122(2006.01)I 分类 光学;
发明人 杨林;贾浩;张磊 申请（专利权）人 宏芯科技（泉州）有限公司
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 代理人 中国科学院半导体研究所
地址 100083 北京市海淀区清华东路甲35号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种提高亚微米硅波导与普通单模光纤耦合效率的结构。在该结构中，制作亚微米硅波导的基底材料为绝缘衬底上的硅晶片，其由下往上包含三层材料：衬底硅，埋氧层，顶层硅，其中埋氧层为掺杂的二氧化硅。在该晶片的顶层硅上通过光刻与刻蚀形成亚微米硅波导后，第一层掺杂的二氧化硅被淀积在该硅波导上方，将其完全包覆。该层掺杂的二氧化硅经过光刻与刻蚀后，在其上方再淀积第二层掺杂的二氧化硅。这样形成的二氧化硅波导作为与普通单模光纤的连接通道，可以减小亚微米硅波导与普通单模光纤耦合时的模场失配损耗和反射损耗，提高二者的耦合效率。