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一种垂直腔面发射激光器阵列模块的生产方法

基本信息

申请号 CN201811469012.3 申请日 -
公开（公告）号 CN109599742A 公开（公告）日 2019-04-09
申请公布号 CN109599742A 申请公布日 2019-04-09
分类号 H01S5/183;H01S5/187 分类 基本电气元件;
发明人 潘小和 申请（专利权）人 矽照光电（厦门）有限公司
代理机构 - 代理人 -
地址 361000 福建省厦门市厦门火炬高新区软件园创新大厦A区202-2单元
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种垂直腔面发射激光器阵列模块的生产方法，在目标晶圆衬底上外延生长p‑n结量子发光薄膜层；外延生长第一层分布式布拉格反射光栅；在硅晶圆衬底上制作具有脉冲宽度调制的有源矩阵控制电路；将量子发光外延片粘合在有源矩阵显示控制电路上；衬底剥离；选择性地等离子刻蚀形成半导体发光量子层阵列；用介质填平表面，选择性介质等离子刻蚀形成金属电极阵列；再次用介质填平表面，并将表面平整；镀上一层透明通用电极；外延生长第二层分布式布拉格反射光栅，得到垂直腔面发射激光器阵列模块。本发明可以规模生产垂直腔面发射激光器阵列模块。