一种二硫化钼光电探测器及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202110419181.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113517357A | 公开（公告）日 | 2021-10-19 |
| 申请公布号 | CN113517357A | 申请公布日 | 2021-10-19 |
| 分类号 | H01L31/0216（2014.01）I;H01L31/0232（2014.01）I;H01L31/113（2006.01）I;H01L31/18（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 李浩文;夏国强 | 申请（专利权）人 | 深圳网联光仪科技有限公司 |
| 代理机构 | 深圳市特讯知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 孟智广 |
| 地址 | 518000广东省深圳市坪山区坪山街道六联社区坪山大道2007号创新广场A1804 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种二硫化钼光电探测器及其制备方法，其中，所述二硫化钼光电探测器包括自下而上设置的金属反射层，绝缘介质层，二硫化钼层，以及彼此间隔设置在所述二硫化钼层上的源电极和漏电极，所述漏电极包括电极部和光栅部。本发明的二硫化钼光电探测器由于采用了金属发射层作为底层，并且在漏电极上集成有光栅，这样光电探测器漏电极和源电极两端会形成明显的光吸收差异，打破了漏电极和源电极两端光电流大小的对称性，增强了光电探测器的光响应。 |
