一种降低VF的分离栅MOSFET结构及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN202111010052.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113629133A | 公开（公告）日 | 2021-11-09 |
| 申请公布号 | CN113629133A | 申请公布日 | 2021-11-09 |
| 分类号 | H01L29/06（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 钱鑫 | 申请（专利权）人 | 芜湖华沅微电子有限公司 |
| 代理机构 | 安徽华普专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 李跟根 |
| 地址 | 241000安徽省芜湖市高新区珩琅山路一号中皖智优产业园A座三楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种降低VF的分离栅MOSFET结构，利用上部的多晶栅极三、栅氧化层三、N+结构、N‑外延层、P阱区以及源金属层共同形成一种寄生MOS型二极管结构，使得该器件的寄生MOS型二极管的反向压降VF大大降低，从普通的0.8V以上降低到0.5~0.7V；同时极大的提高了分离栅MOSFET的交频特性，特别是在反向续流要求比较高的应用场合，提高转换效率明显，拓宽了其应用领域。 |
