一种防静电结构及MOSFET器件
基本信息
| 申请号 | CN202122075258.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN215911428U | 公开（公告）日 | 2022-02-25 |
| 申请公布号 | CN215911428U | 申请公布日 | 2022-02-25 |
| 分类号 | H01L27/02（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 钱鑫 | 申请（专利权）人 | 芜湖华沅微电子有限公司 |
| 代理机构 | 安徽华普专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 李跟根 |
| 地址 | 241000安徽省芜湖市高新区珩琅山路一号中皖智优产业园A座三楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型提供一种防静电结构及MOSFET器件，防静电结构包括氧化层隔离层，所述氧化层隔离层上淀积有多晶硅区域，多晶硅区域内注入掺杂类型不同的离子以形成多晶硅PN结，多晶硅PN结形成的多晶硅二极管组为弯曲结构。将ESD保护结构区域内的二极管组从方形直线分布做成方形弯曲分布，在不改变原ESD保护结构区域大小的前提下，更大限度的提高静电泄放的有效通道，提高器件的抗静电极限能力，静电泄放通道可变为原来的3‑4倍，其抵抗静电的能力极限也可以提高至原来的3‑4倍，效果非常明显，相比普通方案，并没有增加光刻版的数量，没有增加任何多余的工艺步骤，也不会影响器件的整体功能，但对防静电能力的提升效果明显。 |
