用于磁控阵成像仪的高性能钕铁硼磁体
基本信息
| 申请号 | CN202022030262.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN213124012U | 公开（公告）日 | 2021-05-04 |
| 申请公布号 | CN213124012U | 申请公布日 | 2021-05-04 |
| 分类号 | H01F7/02;H01F27/02;H01F27/06;H01F27/23;H01F27/08;H01F1/057 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 薛娟;杨晓霞;梁辉民;郭运兵;白录明;周彦玲;徐树伍;刘尕珍;苏骏虹 | 申请（专利权）人 | 杭州永磁集团振泽磁业有限公司 |
| 代理机构 | 杭州融方专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 沈相权 |
| 地址 | 311201 浙江省杭州市萧山区宁围永磁工业园区 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开了用于磁控阵成像仪的高性能钕铁硼磁体，包括第一粘接层、磁铁和第二粘接层，所述磁铁的两端粘接有第一粘接层，所述磁铁的两侧粘接有第二粘接层，所述第二粘接层的一侧设置有防腐结构，所述第一粘接层的一端设置有隔热结构。本实用新型通过设置有在磁铁安装完成或安装时，磁铁两侧的防护结构中的两侧外板在受到撞击后会通过外板一侧两端的横杆和压缩弹簧在外力作用下向活动槽内侧移动来对外力进行一个缓冲，限位筒和横杆底部的限位块起到对横杆位置的限定，防护结构起到对外来碰撞，以及因磁铁自身的强大磁力而接触到的撞击的防护及缓冲，达到了在磁体外部设置防碰撞结构在快速接触时保护了磁体本体的目的。 |
