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IBC太阳电池及其制作方法

基本信息

申请号	CN201610104676.4	申请日	-
公开（公告）号	CN105609571B	公开（公告）日	2018-07-27
申请公布号	CN105609571B	申请公布日	2018-07-27
分类号	H01L31/04;H01L31/0288;H01L31/0224;H01L31/0216;H01L31/18	分类	基本电气元件;
发明人	刘超;刘成法;张松;张为国;王佩然;陈寒	申请（专利权）人	上海大族新能源科技有限公司
代理机构	广州华进联合专利商标代理有限公司	代理人	上海大族新能源科技有限公司
地址	201112 上海市闵行区联航路1369弄6号305-2室
法律状态	-

摘要

本发明涉及一种IBC太阳电池及其制作方法。该方法包括：将N型硅片的第一表面进行制绒处理，将其第二表面进行抛光；在第二表面上形成硼掺杂源层，将其放入热氧化炉中进行反应，在第二表面上形成依次层叠的p+发射极层和硼硅玻璃层，在第一表面上形成氧化硅层；采用激光去除第二表面的特定区域的硼硅玻璃和p+发射极；将N型硅片放入磷源扩散炉中，在第二表面上形成n++表面场区域，在第一表面上依次形成n+表面场层和磷硅玻璃层；采用激光隔开第二表面上的p+发射极和n++表面场区域；去除硼硅玻璃和磷硅玻璃；在N型硅片的表面上分别形成钝化层；在第二钝化减反射膜层上分别制备正、负电极。上述IBC太阳电池及其制作方法，简化工艺流程和步骤。