晶体硅太阳电池的漏电处理方法
基本信息
| 申请号 | CN201810040765.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN108198910A | 公开（公告）日 | 2018-06-22 |
| 申请公布号 | CN108198910A | 申请公布日 | 2018-06-22 |
| 分类号 | H01L31/18 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 夏世伟;张为国;张松;韩向超;杨崇文;陈寒 | 申请（专利权）人 | 上海大族新能源科技有限公司 |
| 代理机构 | 广州华进联合专利商标代理有限公司 | 代理人 | 上海大族新能源科技有限公司 |
| 地址 | 201100 上海市闵行区万芳路555号4幢8层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种晶体硅太阳电池的漏电处理方法。该漏电处理方法包括如下步骤：将晶体硅太阳电池的正、负极分别接在电源的正负极，进行通电；通电后，在所述晶体硅太阳能电池的硅片正表面上，采集位于边缘不同位置处的物理特征数据；根据所述不同位置处的物理特征数据，确定所述晶体硅太阳电池中的PN结所在的位置；利用激光将所述PN结隔断。上述晶体硅太阳电池的漏电处理方法，不仅能够避免晶体硅太阳电池漏电，还能够最大限度地利用有限的发光面积，同时可以避免绝缘区域选取错误造成成品率低的问题。 |
