硅片硼掺杂方法
基本信息
| 申请号 | CN201510883089.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN105428224B | 公开（公告）日 | 2018-06-12 |
| 申请公布号 | CN105428224B | 申请公布日 | 2018-06-12 |
| 分类号 | H01L21/22;H01L31/18 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 张为国;刘超;刘成法;张松 | 申请（专利权）人 | 上海大族新能源科技有限公司 |
| 代理机构 | 广州华进联合专利商标代理有限公司 | 代理人 | 上海大族新能源科技有限公司 |
| 地址 | 201615 上海市松江区九泾路1000号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种硅片硼掺杂方法。该方法包括步骤：将硅片的表面进行制绒处理，并在所述硅片的表面上形成硼掺杂源层；采用第一激光参数，对所述硼掺杂源层进行激光处理，形成第一p+区域；对所述硅片的表面进行清洗，去除剩余的所述硼掺杂源；采用第二激光参数，对所述第一p+区域进行处理，使得所述第一p+区域内的硼掺杂源进一步扩散，形成第二p+区域，其中，所述第二激光参数中的激光脉冲宽度小于所述第一激光参数中的激光脉冲宽度。上述硅片硼掺杂方法，不仅提高掺杂的均匀性，还能实现低浓度深掺杂结，使得短波响应更加明显。 |
