一种高介电常数栅介质材料沟槽MOS肖特基二极管器件专利查询专利号|摘要-满商公司网

一种高介电常数栅介质材料沟槽MOS肖特基二极管器件

基本信息

申请号	CN201410307573.9	申请日	-
公开（公告）号	CN104051548A	公开（公告）日	2014-09-17
申请公布号	CN104051548A	申请公布日	2014-09-17
分类号	H01L29/861(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I	分类	基本电气元件;
发明人	蔡银飞;翟东媛;赵毅;施毅;郑有炓	申请（专利权）人	杭州启沛科技有限公司
代理机构	南京瑞弘专利商标事务所（普通合伙）	代理人	杭州启沛科技有限公司
地址	311100 浙江省杭州市余杭区文一西路998号19幢704
法律状态	-

摘要

本发明提供一种高介电常数栅介质材料沟槽MOS肖特基二极管器件，包括N+半导体衬底、N+半导体衬底上的N-外延层、N-外延层上加工的沟槽结构、N-外延层上及沟槽内生长肖特基接触的阳极金属、N+衬底下面生长欧姆接触的阴极金属；所述沟槽侧壁氧化层包括上下两部分，上部采用高介电常数栅介质材料，下部使用二氧化硅；且所述的沟槽内壁生长高介电常数栅介质材料的高度占沟槽总高度的四分之三以内。本发明设计的一种高介电常数栅介质材料沟槽MOS肖特基二极管器件，在沟槽中的氧化层的上部采用高介电常数栅介质材料，下部仍然使用二氧化硅，与传统的SiO₂TMBS器件相比，漏电流密度可以减小19.8％，同时，不减弱器件的击穿电压和正向导通电压特性。