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一种基于P电极条形阵列的深紫外LED芯片

基本信息

申请号	CN201920856700.9	申请日	-
公开（公告）号	CN209896093U	公开（公告）日	2020-01-03
申请公布号	CN209896093U	申请公布日	2020-01-03
分类号	H01L33/20（2010.01）; H01L33/38（2010.01）	分类	基本电气元件;
发明人	张会雪; 罗红波; 徐盛海; 张爽; 刘源; 戴江南; 陈长清	申请（专利权）人	湖北深紫科技有限公司
代理机构	武汉智嘉联合知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	黄君军
地址	436000 湖北省鄂州市梧桐湖新区凤凰大道特1号华中科技大学鄂州工业技术研究院大楼S209室
法律状态	-

摘要

本实用新型公开了一种基于P电极条形阵列的深紫外LED芯片，包括蓝宝石衬底层、AlN层、N型AlGaN层、N电极层、P型GaN层和P电极层，其中，所述AlN层、所述N型AlGaN层、所述N电极层、所述P型GaN层和所述P电极层依次沉积于所述蓝宝石衬底层表面；所述P型GaN层包括复数个平行设置的第一条状结构，所述P电极层包括复数个平行设置的第二条状结构，所述第二条状结构设置于所述第一条状结构远离所述N电极层一侧。本实用新型通过将P型GaN层和P电极层设置成复数个平行设置的条状结构，有效增加侧壁出光面积，从而实现光萃取效率的提高；同时，该结构设计使电极线宽变窄，电流扩展距离变短，更有利于N‑P电极之间的电流扩展，减少电流拥堵效应。