高选择比氮化硅蚀刻液、其制备方法及应用
基本信息
| 申请号 | CN202010817298.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111925802B | 公开（公告）日 | 2021-10-01 |
| 申请公布号 | CN111925802B | 申请公布日 | 2021-10-01 |
| 分类号 | C09K13/06（2006.01）I;H01L21/311（2006.01）I | 分类 | 染料；涂料；抛光剂；天然树脂；黏合剂；其他类目不包含的组合物；其他类目不包含的材料的应用; |
| 发明人 | 王溯;蒋闯;季峥;史筱超 | 申请（专利权）人 | 上海新阳半导体材料股份有限公司 |
| 代理机构 | 上海弼兴律师事务所 | 代理人 | 王卫彬;陈卓 |
| 地址 | 201616上海市松江区思贤路3600号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种蚀刻液，其制备方法及应用。本发明提供了一种蚀刻液，其包括下列重量份数的组分：0.5‑10份化合物M，76.5‑84.6份磷酸和13.5‑14.9份水。本发明的蚀刻液对氧化硅膜和氮化硅膜的蚀刻速率选择比适当、能够选择性地去除氮化硅膜、提升蚀刻液的寿命且能适应层叠结构层数的增加。 |
