高选择比氮化硅蚀刻液、其制备方法及应用
基本信息
| 申请号 | CN202010817664.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111925804B | 公开（公告）日 | 2021-09-28 |
| 申请公布号 | CN111925804B | 申请公布日 | 2021-09-28 |
| 分类号 | C09K13/06（2006.01）I;H01L21/311（2006.01）I | 分类 | 染料；涂料；抛光剂；天然树脂；黏合剂；其他类目不包含的组合物；其他类目不包含的材料的应用; |
| 发明人 | 王溯;蒋闯;季峥;郭杰 | 申请（专利权）人 | 上海新阳半导体材料股份有限公司 |
| 代理机构 | 上海弼兴律师事务所 | 代理人 | 王卫彬;陈卓 |
| 地址 | 201616上海市松江区思贤路3600号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种高选择比氮化硅蚀刻液、其制备方法及应用。本发明具体公开了一种蚀刻液，按质量份数计，其包括下述组分：0.20‑12.00份的如式A所示的化合物、74.00‑86.00份的磷酸和13.00‑15.00份的水。本发明的蚀刻液可提高氧化硅和氮化硅的蚀刻选择比，选择性地去除氮化物膜，提升蚀刻液的寿命，能适应层叠结构层数的增加。 |
