一种MOSFET扇出型封装结构
基本信息
| 申请号 | CN202022481042.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN213583763U | 公开（公告）日 | 2021-06-29 |
| 申请公布号 | CN213583763U | 申请公布日 | 2021-06-29 |
| 分类号 | H01L23/485（2006.01）I;H01L23/31（2006.01）I;H01L23/482（2006.01）I;H01L21/56（2006.01）I;H01L21/60（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 周佳炜;徐德胜 | 申请（专利权）人 | 广东佛智芯微电子技术研究有限公司 |
| 代理机构 | 广州鼎贤知识产权代理有限公司 | 代理人 | 刘莉梅 |
| 地址 | 528225广东省佛山市南海区狮山镇南海软件科技园内佛高科技智库中心A座科研楼A107室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开一种MOSFET扇出型封装结构，其中，MOSFET扇出型封装结构包括：第一塑封层，第一塑封层沿其厚度方向开设有通孔，通孔由上下两个小孔端相邻的锥形孔连通而成；封装于第一塑封层内的MOSFET，位于MOSFET一侧的第一I/O口和位于MOSFET另一侧的第二I/O口分别外露于第一塑封层；导电柱，填充于通孔内；第一电连接结构，位于第一塑封层的一侧并与导电柱的一端以及第一I/O口连接；第二电连接结构，位于第一塑封层的另一侧并与导电柱的另一端以及第二I/O口连接。本实用新型通过激光双面钻锥形孔并形成导电柱，从而将MOSFET背面的线路层引至正面，提高了MOSFET电气连接的稳定性。 |
