一种三维异构AIP芯片的封装方法及封装结构
基本信息
| 申请号 | CN201911043037.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111048424B | 公开（公告）日 | 2021-08-03 |
| 申请公布号 | CN111048424B | 申请公布日 | 2021-08-03 |
| 分类号 | H01L21/50（2006.01）I;H01L21/56（2006.01）I;H01L23/367（2006.01）I;H01L23/373（2006.01）I;H01L23/66（2006.01）I;H01Q1/22（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 林挺宇;崔锐斌;杨斌 | 申请（专利权）人 | 广东佛智芯微电子技术研究有限公司 |
| 代理机构 | 广州知顺知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 彭志坚 |
| 地址 | 528225广东省佛山市狮山镇南海软件科技园内佛高科技智库中心A1座科研楼208室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种三维异构AIP芯片的封装方法及封装结构，封装方法包括：在晶圆的正面贴研磨胶带，并对其背面研磨减薄；对晶圆划片处理形成毫米波芯片；将毫米波芯片贴在临时键合胶上，在毫米波芯片的上表面涂覆第一石墨烯层，在第一石墨烯层上涂布反射层；对毫米波芯片、第一石墨烯层和反射层进行塑封；于第一塑封层形成通孔，把Cu填满通孔；在一次塑封件的上表面制作上线路层；在上线路层上放置IPD芯片并布设天线层，涂覆第二石墨烯层，对上线路层、IPD芯片、天线层、第二石墨烯层进行塑封；在二次塑封件的下表面制作下线路层，在下线路层上植锡球。本发明的三维异构AIP芯片的封装方法及封装结构的散热性能和稳定性良好。 |
