具有激光开孔阻挡层的扇出型封装结构及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201910841901.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110620053B | 公开（公告）日 | 2021-09-03 |
| 申请公布号 | CN110620053B | 申请公布日 | 2021-09-03 |
| 分类号 | H01L21/60;H01L23/485;H01L23/488;H01L25/18 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 蔡琨辰;匡自亮 | 申请（专利权）人 | 广东佛智芯微电子技术研究有限公司 |
| 代理机构 | 广州鼎贤知识产权代理有限公司 | 代理人 | 刘莉梅 |
| 地址 | 528225 广东省佛山市南海区狮山镇南海软件科技园内佛高科技智库中心A座科研楼A107室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开一种具有激光开孔阻挡层的扇出型封装结构及其制备方法，其制备方法包括以下步骤：S10、提供载板和若干芯片，采用塑封料将芯片封装于载板的一侧，然后移除载板，使芯片的正面外露于塑封料；S20、提供激光开孔阻挡层和介电层，将激光开孔阻挡层贴于芯片的正面以及将介电层贴于激光开孔阻挡层上，对介电层进行激光开孔处理以形成通孔，并移除通孔处的激光开孔阻挡层，使芯片的I/O接口外露；S30、制作种子层和再布线层，将芯片电性引出与金属凸块焊接。本发明通过在介电层与芯片之间贴附激光开孔阻挡层，可以避免激光开孔直接打到芯片I/O破坏芯片或者激光开孔不彻底影响电性连接的问题。 |
