硅锗合金薄膜材料的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201010301123.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN101880901B | 公开（公告）日 | 2012-05-30 |
| 申请公布号 | CN101880901B | 申请公布日 | 2012-05-30 |
| 分类号 | C25D3/56(2006.01)I | 分类 | 电解或电泳工艺；其所用设备〔4〕; |
| 发明人 | 李垚;辛伍红;赵九蓬;孟祥东;刘昕 | 申请（专利权）人 | 哈尔滨益材新材料有限公司 |
| 代理机构 | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 | 代理人 | 韩末洙 |
| 地址 | 150001 黑龙江省哈尔滨市哈尔滨高新技术产业开发区科技创新城创新创业广场2号楼科技一街719号A406室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 硅锗合金薄膜材料的制备方法，它属于硅锗合金薄膜领域。本发明解决了现有工艺制备硅锗合金薄膜存在设备造价高、操作条件苛刻及使用氢气使安全系数降低的问题。本发明方法如下：一、基片依次用丙酮、甲醇和超纯水超声清洗，然后自然晾干；二、配制电解液；三、采用三电极法进行电沉积，即在基片表面获得硅锗合金薄膜材料。本发明采用三电极法进行电沉积，所需设备造价低，方法简单，容易操作，反应无需使用氢气，提高生产的安全系数。 |
