一种高磁通密度纳米晶质薄带合金材料及制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201310701273.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN103614671B | 公开（公告）日 | 2016-01-20 |
| 申请公布号 | CN103614671B | 申请公布日 | 2016-01-20 |
| 分类号 | H01F1/01(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 张作州 | 申请（专利权）人 | 四川江铜磁性材料有限公司 |
| 代理机构 | 南京汇盛专利商标事务所（普通合伙） | 代理人 | 张立荣 |
| 地址 | 江苏省徐州市邳州市高新技术产业开发区 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种高磁通密度纳米晶质薄带合金材料及其制备方法，在制备过程中其材料组分的含量容易控制，而且材料具有较高磁通密度；该制备方法工艺简单，生产成本低，适于工业化生产。该材料各成分重量百分比含量为：Nd0.05-0.1%，Sm0.01-0.05%，Tb0.01-0.05%，Cu0.5-1%，Ni1-3%，Sr0.1-0.7%，Co1-3%，Ba0.2-0.5%，Mn1-3%，Pb1-5%，Ru0.3-0.6%，B1-2%，Si0.1-0.5%，Sb0.01-0.05%，其余Fe。 |
