一种半导体器件的制作方法
基本信息
| 申请号 | CN202110751038.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113488377A | 公开（公告）日 | 2021-10-08 |
| 申请公布号 | CN113488377A | 申请公布日 | 2021-10-08 |
| 分类号 | H01L21/027（2006.01）I;G03F7/20（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 蔡锦波;孙江涛 | 申请（专利权）人 | 马鞍山市槟城电子有限公司 |
| 代理机构 | 北京品源专利代理有限公司 | 代理人 | 潘登 |
| 地址 | 243000安徽省马鞍山市经济技术开发区湖西南路2189号5栋1号厂房南面 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明实施例公开了一种半导体器件的制作方法，该半导体器件的制作方法包括：第一制程、第二制程和第三制程中的一个或多个：其中，第一制程包括：在半导体衬底的至少一侧形成第一保护层；通过激光工艺去除部分第一保护层，以形成暴露半导体衬底的待掺杂区域的掺杂窗口；第二制程包括：在半导体衬底的至少一侧形成第二保护层；通过激光工艺去除部分第二保护层，以形成暴露半导体衬底的待挖槽区域的沟槽窗口；对待挖槽区域进行腐蚀处理，以形成沟槽；第三制程包括：在半导体衬底的至少一侧形成第三保护层；通过激光工艺去除部分第三保护层，以形成电极窗口。本发明实施例的技术方案通过激光去除掩膜，替代光刻实现图形转移。 |
