一种半导体放电管及其制作方法、过电压保护装置
基本信息
| 申请号 | CN202110712130.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113314594A | 公开（公告）日 | 2021-08-27 |
| 申请公布号 | CN113314594A | 申请公布日 | 2021-08-27 |
| 分类号 | H01L29/06（2006.01）I;H02H9/04（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 蔡锦波;陈林 | 申请（专利权）人 | 马鞍山市槟城电子有限公司 |
| 代理机构 | 北京品源专利代理有限公司 | 代理人 | 潘登 |
| 地址 | 243000安徽省马鞍山市经济技术开发区湖西南路2189号5栋1号厂房南面 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明实施例公开了一种半导体放电管及其制作方法、过电压保护装置。其中，半导体放电管的制作方法包括：在半导体衬底的任一器件单元区中，在半导体衬底上形成被第一导电类型的本体区所间隔的第二导电类型的第一扩散区和第二扩散区；在半导体衬底设置有第一扩散区的一侧形成凹槽；沿着凹槽向半导体衬底内扩散，以形成第一导电类型的第三扩散区，第三扩散区均与第一扩散区和半导体衬底的本体区相接触；在第一扩散区内形成第一导电类型的第四扩散区，第三扩散区和第四扩散区间隔设置；形成对应的第一导电块，其中，第一导电块与第一扩散区和第四扩散区电连接。本发明实施例提供的技术方案可以降低雷击浪涌时的残压。 |
