半导体结构
基本信息
| 申请号 | CN202210423638.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114744045A | 公开（公告）日 | 2022-07-12 |
| 申请公布号 | CN114744045A | 申请公布日 | 2022-07-12 |
| 分类号 | H01L29/78（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 张钦福;林昭维;朱家仪;童宇诚;赖惠先 | 申请（专利权）人 | 福建省晋华集成电路有限公司 |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | - |
| 地址 | 362200福建省泉州市晋江市集成电路科学园联华大道88号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体结构，包括衬底，所述衬底上有一鳍状结构，浅沟槽隔离结构，位于所述衬底中，其中所述浅沟槽隔离结构具有一阶梯状顶面，并具有第一顶面以及高于所述第一顶面的第二顶面，以及一栅极结构，跨越部分所述浅沟槽隔离结构以及部分所述鳍状结构，其中所述栅极结构具有一阶梯状的底面。 |
