半导体结构及其制备方法、阻值异常的检测方法
基本信息
| 申请号 | CN202210397239.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114759014A | 公开（公告）日 | 2022-07-15 |
| 申请公布号 | CN114759014A | 申请公布日 | 2022-07-15 |
| 分类号 | H01L23/544（2006.01）I;G01R27/08（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 吕林雪;苏超华;刘伟浓;张钦福 | 申请（专利权）人 | 福建省晋华集成电路有限公司 |
| 代理机构 | 上海思捷知识产权代理有限公司 | 代理人 | - |
| 地址 | 362200福建省泉州市晋江市集成电路科学园联华大道88号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种半导体结构及其制备方法、阻值异常的检测方法。在本发明提供的半导体结构中，利用衬底内的第三导电层与第一导电层连接，并使第三导电层延伸出，从而可将延伸出的第三导电层和第二导电层分别连接至第一信号端和第二信号端，使得检测过程中第一导电层和第二导电层是以串联方式连接，此时，当第一导电层和第二导电层中的任一出现电阻异常时均能够以等同幅度反映于串联电阻，而能够被检测出，提高了阻值异常的检测灵敏度。 |
